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任敏; 李泽宏; 邓光敏; 张灵霞; 张蒙; 刘小龙; 谢加雄; 张波;
State;
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Electronic;
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Integrated;
Devices;
University;
Science;
Technology;
China;
Chengdu;
610054;
MOSFET; 感应开关; 耐用性; 金属氧化物半导体场效应晶体管; 钳位; 寄生晶体管; 掺杂浓度; 沟槽设计;
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