Analytical base-collector depletion capacitance in vertical SiGe heterojunction bipolar transistors fabricated on CMOS-compatible silicon on insulator

著录项

• 来源
  《中国物理：英文版》 |2011年第1期|P.672-676|共5页
• 作者

  徐小波; 张鹤鸣; 胡辉勇; 马建立; 许立军;

  展开▼
• 作者单位

  Key;

  Laboratory;

  of;

  Ministry;

  Education;

  for;

  Wide;

  Band-Gap;

  Semiconductor;

  Materials;

  and;

  Devices;

  School;

  Microelectronics;

  Xidian;

  University;

  Xi＇an;

  710071;

  China;

  展开▼
• 收录信息 中国科学引文数据库(CSCD);中国科技论文与引文数据库(CSTPCD);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 TN325.3;
• 关键词

  SiGe异质结双极晶体管; 硅晶体管; 集电极; CMOS兼容; 绝缘体; 电容; 垂直; 制造;

  机译：SiGe异质结双极晶体管;硅晶体管;集电极;CMOS兼容;绝缘体;电容;垂直;制造;