Analysis of the breakdown mechanism for an ultra high voltage high-side thin layer silicon-on-insulator p-channel low-density metal-oxide semiconductor

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• 来源
  《中国物理：英文版》 |2012年第3期|P.405-410|共6页
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• 收录信息 中国科学引文数据库(CSCD);中国科技论文与引文数据库(CSTPCD);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 TN304.21;
• 关键词

  金属氧化物半导体; 超高电压; 击穿机理; 低密度; 机理分析; 硅绝缘体; 通道; 高压集成电路;

  机译：金属氧化物半导体;超高电压;击穿机理;低密度;机理分析;硅绝缘体;通道;高压集成电路;