Quantum confinement effects and source-to-drain tunneling in ultra-scaled double-gate silicon n-MOSFETs

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• 来源
  《中国物理：英文版》 |2012年第2期|P.490-497|共8页
• 作者

  姜向伟; 李树深;

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• 作者单位

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• 收录信息 中国科学引文数据库(CSCD);中国科技论文与引文数据库(CSTPCD);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
• 关键词

  N-MOSFET; 量子限制效应; 隧道电流; 金属氧化物半导体场效应晶体管; 双栅; 机身厚度; 硅; 通道长度;

  机译：N-MOSFET;量子限制效应;隧道电流;金属氧化物半导体场效应晶体管;双栅;机身厚度;硅;通道长度;