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Stability of the positively charged manganese centre in GaAs heterostructures examined theoretically by the effective mass approximation calculation near the Γ critical point

机译:通过有效质量近似计算在Γ临界点附近对GaAs异质结构中带正电的锰中心的稳定性进行了理论检验

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  • 来源
    《中国物理:英文版》 |2011年第10期|15-22|共8页
  • 作者单位

    State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences P.O. Box 912 Beijing 100083 China;

  • 收录信息 中国科学引文数据库(CSCD);中国科技论文与引文数据库(CSTPCD);
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