Negative differential resistance behaviour in  N-doped crossed graphene nanoribbons

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机译：N掺杂交叉石墨烯纳米带的负微分电阻行为

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摘要

^10F;中国物理：英文版

机译：^10F;中国物理：英文版

来源
《中国物理：英文版》 |2010年第9期|P.531-535|共5页
作者
陈灵娜; 马松山; 欧阳方平; 伍小赞; 肖金; 徐慧;
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作者单位

^pof;

Physics;

Science;

and;

Technology,;

Central;

South;

University,;

Changsha;

410083,;

China;

^pof;

Computer;

Science;

and;

Technology,;

University;

of;

South;

China,;

Hengyang;

421001,;

China;

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收录信息中国科学引文数据库(CSCD);中国科技论文与引文数据库(CSTPCD);
原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN312.2;
关键词
负微分电阻; 掺杂石墨; 纳米带; 带交叉; 行为; 第一性原理计算; 格林函数方法; 电子输运特性;

机译：负微分电阻;掺杂石墨;纳米带;带交叉;行为;第一性原理计算;格林函数方法;电子输运特性;