The study on mechanism and model of negative bias  temperature instability degradation in P-channel  metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

曹艳荣; 马晓华; 郝跃; 田文超

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The study on mechanism and model of negative bias temperature instability degradation in P-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

机译：P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏压温度不稳定性下降的机理与模型研究

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^10F;中国物理：英文版

机译：^10F;中国物理：英文版

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来源
《中国物理：英文版》 |2010年第9期|P.564-569|共6页
作者
曹艳荣; 马晓华; 郝跃; 田文超;
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作者单位

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Xidian;

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710071,;

China;

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收录信息中国科学引文数据库(CSCD);中国科技论文与引文数据库(CSTPCD);
原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类振荡器;
关键词
金属氧化物半导体场效应晶体管; 负偏压温度; 退化模型; 不稳定性; P沟道; NBTI; 机制; MOSFET;

机译：金属氧化物半导体场效应晶体管;负偏压温度;退化模型;不稳定性;P沟道;NBTI;机制;MOSFET;

The study on mechanism and model of negative bias temperature instability degradation in P-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

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