Electronic and optical properties of GaN//AlN quantum  dots with adjacent threading dislocations

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机译：具有相邻螺纹位错的GaN // AlN量子点的电子和光学性质

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摘要

^10F;中国物理：英文版

机译：^10F;中国物理：英文版

来源
《中国物理：英文版》 |2010年第4期|P.375-380|共6页
作者
叶寒; 芦鹏飞; 俞重远; 姚文杰; 陈智辉; 贾博雍; 刘玉敏;
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作者单位

Key;

Laboratory;

of;

Information;

Photonics;

and;

Optical;

Communications,;

Ministry;

of;

Education,;

Beijing;

University;

of;

Posts;

and;

Telecommunications,;

Beijing;

100876,;

China;

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收录信息中国科学引文数据库(CSCD);中国科技论文与引文数据库(CSTPCD);
原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类碳C;
关键词
电子结构; 穿透位错; 氮化镓; 量子点; 光学性质; 线程; AlN; 光学吸收系数;

机译：电子结构;穿透位错;氮化镓;量子点;光学性质;线程;AlN;光学吸收系数;