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Analyses of temperature-dependent interface states, series resistances,and AC electrical conductivities of Al/p-Si and Al/Bi4Ti3O12/p-Si structures by using the admittance spectroscopy method

机译:利用导纳光谱法分析Al / p-Si和Al / Bi4Ti3O12 / p-Si结构的温度相关界面态,串联电阻和交流电导率

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  • 来源
    《中国物理:英文版》 |2013年第10期|608-613|共6页
  • 作者单位

    Department of Physics, Faculty of Arts & Sciences, Düzce University, 81620, Düzce, Turkey;

    Department of Physics, Faculty of Sciences, Gazi University, 06500, Ankara, Turkey;

    Department of Physics, Faculty of Sciences, Gazi University, 06500, Ankara, Turkey;

  • 收录信息 中国科学引文数据库(CSCD);中国科技论文与引文数据库(CSTPCD);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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