Threshold switching uniformity in In2Se3 nanowire-based phase change memory

著录项

• 来源
  《中国物理：英文版》 |2015年第5期|567-571|共5页
• 作者

  Chen Jian; Du Gang; Liu Xiao-Yan;

  展开▼
• 作者单位

  Shenzhen Graduate School,Peking University,Shenzhen 518055,China;

  Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;

  Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;

  Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;

  展开▼
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词