A two-dimensional analytical modeling for channel potential and threshold voltage of short channel triple material symmetrical gate Stack (TMGS) DG-MOSFET

著录项

• 来源
  《中国物理：英文版》 |2016年第10期|514-520|共7页
• 作者

  Shweta Tripathi;

  展开▼
• 作者单位

  Department of Electronics & Communication Engineering, Motilal Nehru National Institute of Technology, Allahabad-211004, India;

  展开▼
• 收录信息 中国科学引文数据库(CSCD);中国科技论文与引文数据库(CSTPCD);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

• 入库时间 2024-01-06 16:31:59