新型含苯并二噻吩与苯并二吡咯酮基元的D-A共聚物的合成及性质

摘要

采用苯并二吡咯酮作电子受体单元,在钯催化下,与不同取代基修饰的电子给体单元苯并二噻吩进行Stille偶联聚合反应,合成了两种新型的电子给-受体(D-A)聚合物(P1和P2),其结构和性能经UV-Vis,1 H NMR,13 C NMR,元素分析,GPC,CV和TGA表征.结果表明:薄膜态P1和P2在300～800 nm表现出较强吸收.P1和P2的低能端吸收峰值分别位于621 nm和616 nm.氧化峰分别位于0.41 V和0.46 V,能隙分别为1.41 eV和1.36 eV.