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谭文轶; 钟秦; 冯凤;
南京理工大学化工学院,江苏,210094;
MCeO3固体电解质; 固体氧化物燃料电池; 水浓差电池;
机译:Ce和La掺杂Ba_2In_2O_5作为中温(100-500℃)固体质子导体候选物的制备与表征
机译:通过溶液凝胶合成制备的低掺杂和高掺杂本体(TlaPb0.5)(Sr0.95Ba0.05)(2)(Ca0.8Gd0.2)Cu2Oz 1212超导体
机译:锶对掺钕的钡质子导体Ba“ 1”-“ xSr” xCe“ 0”。“ 6” 5Zr“ 0”。“ 2” 5Nd“ 0”。“ 1O” 3“-” @ d质子导体的影响固体氧化物燃料电池
机译:高温下掺杂Y_2O_3作为质子导体的SRCE_(1-X)Zr_XO_3掺杂Y_2O_3的制备与表征
机译:薄膜宽带隙半导体:结构,光电特性的制备,掺杂和表征。
机译:具有Ruddlesden-Pop结构的CaSrBa掺杂BaLaInO4中质子的结合和传导
机译:铈和镧掺杂的Ba2In2O5的制备和表征,作为中温(100 \ u2013500 \ u25e6C)固态质子导体的候选材料
机译:(57)Fe掺杂(La(2-Y)sr(Y))Cu0(4-delta)的超导和半导体样品的moessbauer研究
机译:用于半导体晶片的N掺杂区的制造方法硅晶片,涉及从质子末端区域沿晶片正面方向扩散质子,并使用氢诱导的施主来开发n掺杂半导体区
机译:Cu0.5NbAlP3O12(CNP)和HNbAlP3O12(HNP)的制备,表征,ESR和PAS研究
机译:Cu0.5NbAlp3O12(CNP)和HnbAlp3O12(HNP)的制备,表征,esr和pas研究
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