Pr3+掺杂Ge-Ga-Se-CsI硫卤玻璃性能及光纤制备

摘要

采用熔融淬冷法制备了两种浓度的Pr3+掺杂GeSe2-Ga2Se3-CsI(GGC)硫卤玻璃.在2.0μm激光激励下,比较了玻璃片(2 mm)和玻璃柱(6 mm)的荧光发射光谱.用Judd-Ofelt理论计算分析了Pr3+掺杂Ge-Ga-Se-CsI硫卤玻璃的强度参数Ωi(i=2,4,6)和辐射寿命τrad等光谱参数.通过拟合衰变曲线,测得了玻璃的荧光寿命值(0.5％Pr3+:3.08 ms).所制备的光纤具备双包层结构,通过截断法得到光纤在7.6μm处的最低损耗为2.27 dB/cm.