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Y1.95-xGdxSiO5:Eu0.05的真空紫外光谱

         

摘要

利用高温固相法合成了Y1.95-xGdxSiO5:Eu0.05(x=0.6mol%)荧光体.结构测定表明所合成的荧光体为单斜晶系的X2型Y2SiO5相,空间群为B2/b.真空紫外光谱表明:随着Gd3+含量的增加,在192nm附近,出现了Gd3+的激发峰,且此峰的强度随着Gd3+含量的增加而增大;同时位于150~185nm之间的基质吸收带的强度也增大;而位于200~300nm之间的Eu的电荷迁移带的强度却随着Gd3+含量的增加而降低.

著录项

  • 来源
    《发光学报》 |2000年第2期|145-149|共5页
  • 作者单位

    长春科学技术大学,吉林,长春,130026;

    中国科学院长春应用化学研究所,吉林,长春,130022;

    中国科学院长春应用化学研究所,吉林,长春,130022;

    中国科学院长春应用化学研究所,吉林,长春,130022;

    中国科学院长春应用化学研究所,吉林,长春,130022;

    长春科学技术大学,吉林,长春,130026;

    Division of Applied Science, Korea Institute of Science and Technology, P.O.Box 131, Seoul 130-650, Korea;

    Division of Applied Science, Korea Institute of Science and Technology, P.O.Box 131, Seoul 130-650, Korea;

    Division of Applied Science, Korea Institute of Science and Technology, P.O.Box 131, Seoul 130-650, Korea;

    Division of Applied Science, Korea Institute of Science and Technology, P.O.Box 131, Seoul 130-650, Korea;

    Division of Applied Science, Korea Institute of Science and Technology, P.O.Box 131, Seoul 130-650, Korea;

    Division of Applied Science, Korea Institute of Science and Technology, P.O.Box 131, Seoul 130-650, Korea;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 发光学;
  • 关键词

    Y1.95-xGdxSiO5:Eu0.05; 真空紫外光谱; 基质吸收带;

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