一维纳米SiC-CNTs复合结构的生长机制和阴极射线发光

摘要

采用直接固相反应法制备了一维SiC-CNTs纳米复合结构.初始反应原料为纯的硅粉和碳纳米管混合物,没有使用任何触媒,在1400℃温度下获得了一维纳米产物.采用X射线衍射、扫描电子显微镜、拉曼光谱、阴极射线发光光谱研究了产物的结构和光学性质.获得的一维SiC-CNTs纳米复合结构外径约为60nn,长度超过几个微米.CL谱中存在三个发射带,中心位置分别为2.89,2.39,2.22 eV.