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a-Si:H TFT OLED驱动电路中存储电容对显示性能的影响

         
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摘要

对OLED两管a-Si: H有源驱动技术中存储电容对器件寿命的影响进行了详细的讨论;结合驱动管的宽长比,从理论分析和SPICE模拟两个方面研究了存储电容对电路充电率、跳变电压和保持特性的影响,找出其间相互制约的数量关系,最后给出优化设计的参考值.

著录项

  • 来源
    《液晶与显示》 |2008年第5期|572-577|共6页
  • 作者

    李云飞; 王永生; 张晓龙; 刘宏宇; 王刚; 邵喜斌; 何大伟;

  • 作者单位

    北京交通大学光电子技术研究所,北京,100044;

    京东方科技集团股份有限公司中央研究院,北京,100016;

    北京交通大学光电子技术研究所,北京,100044;

    吉林大学术计算机科学与技木学院,吉林,长春,130012;

    吉林大学术计算机科学与技木学院,吉林,长春,130012;

    京东方科技集团股份有限公司中央研究院,北京,100016;

    京东方科技集团股份有限公司中央研究院,北京,100016;

    北京交通大学光电子技术研究所,北京,100044;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 显示技术;有机半导体;
  • 关键词

    OLED; 有源驱动; 存储电容; 充电率;

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