隧道磁阻传感器在OLED电流检测中的应用

摘要

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器的亮度、色域和显示不均(Mura)等特性与其驱动电流息息相关。为了实现封装后OLED电流的无损检测,本文建立了一种基于隧道磁阻(Tunneling Magnetoresistance,TMR)效应的OLED电流无损检测方法。首先,根据OLED显示器亮度与驱动电流的关系,得到一行像素全部点亮时的驱动电流是40 mA,通过仿真分析40 mA电流的空间磁场分布,估算出TMR磁传感器的灵敏度指标要求。然后,选择TMR2922作为磁传感器,实验研究了点亮双行、多行和单列像素时,显示器磁场与电流的关系、屏幕电磁兼容问题和传感器灵敏度问题。最后,对比分析了不同驱动电流下,TMR2922的磁场数据和Hyperion色度计的光学数据。仿真表明,高度为1.5 mm时磁场传感器的噪声要优于1.1 nT/√Hz;实验结果表明,在无屏蔽环境下TMR2922可以检测出OLED mA级的行电流,对于μA级的列电流需要灵敏度更高的磁传感器。