基于NLRP3炎症小体探讨电针对脑缺血再灌注损伤大鼠细胞焦亡的影响

摘要

目的观察电针对脑缺血再灌注损伤大鼠神经元NLRP3炎症小体及细胞焦亡的影响,探讨其减轻脑缺血再灌注损伤的可能机制。方法60只雄性SD大鼠随机分为空白组、模型组、电针组和依达拉奉组,每组15只。除空白组外,采用线栓法制备大脑中动脉阻塞模型。电针组造模后2 h及每隔12 h于左侧“内关”“百会”予电针干预,20 min/次,共5次,其余各组固定相同时间;依达拉奉组一次性腹腔注射依达拉奉注射液(3 mg/kg),其余各组注射等体积生理盐水。对大鼠进行神经功能缺损评分,HE染色观察大脑皮层病理变化,TUNEL染色观察脑组织细胞凋亡情况,Western blot及RT-PCR检测脑组织NLRP3、半胱氨酸蛋白酶-1(Caspase-1)、白细胞介素(IL)-1β蛋白和mRNA表达。结果与空白组比较,模型组大鼠造模后0 h神经功能缺损评分显著升高(P<0.01),大脑皮层神经细胞排列紊乱,大量细胞萎缩及坏死,细胞凋亡率显著升高(P<0.01),脑组织NLRP3、Caspase-1、IL-1β蛋白及mRNA表达显著升高(P<0.05,P<0.01);与模型组比较,电针组和依达拉奉组大鼠造模后24、48 h神经功能缺损评分显著降低(P<0.05,P<0.01),大脑皮层病理变化有所减轻,神经细胞排列较整齐,少量神经细胞坏死,细胞凋亡率显著降低(P<0.01),脑组织NLRP3、Caspase-1、IL-1β蛋白和mRNA表达显著降低(P<0.05,P<0.01)。结论电针“百会”“内关”可发挥神经保护作用,其机制可能与抑制NLRP3炎症小体介导的细胞焦亡,减轻脑缺血再灌注损伤有关。