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王玉萍; 王连军; 袁俊秀; 彭盘英; 陆天虹;
南京理工大学化工学院;
南京;
210094;
南京师范大学化学与环境科学学院;
Mo掺杂; 掺杂量; 可见光; 光催化;
机译:掺杂Mo6+对纳米TiO2薄膜亲水性的影响
机译:S和Cu对可见光照射下S,Cu共掺杂的纳米TiO2光催化活性影响的新观点
机译:氮掺杂和金负载的协同效应对增强纳米TiO2可见光光催化活性的影响
机译:Fe离子掺杂纳米TiO2的结构和光催化活性的研究
机译:改善纳米结构二氧化钛的光电性能和光活性:粒径,氧空位和氮掺杂的影响。
机译:通过表面功能化和杂原子掺杂的电荷注入促进MOF衍生的MoS2基域的电催化氢析出活性
机译:Ag掺杂对纳米TiO2抗菌和光催化活性的影响
机译:量子力学mo研究掺杂对苯并二咪唑聚合物电子能带结构的影响
机译:制作具有补偿结构的半导体层用于MOS晶体管制造的方法是采用热氧化转化反应来影响局部掺杂剂浓度
机译:用作横向VMOS晶体管的晶体管结构包括n掺杂的衬底层,p +掺杂的层,外延生长的n掺杂的层,p掺杂的p阱,p +掺杂的袋和多晶硅层
机译:双极互补MOS电路的制造方法,涉及用于互补MOS晶体管的注入结构,其中结构的注入包括通过在集电极中注入来增加掺杂剂浓度。
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