Annealing effect on optical and electronic properties of silicon rich amorphous silicon-carbide films

著录项

• 来源
  《中国光电子学前沿：英文版》 |2012年第1期|P.107-111|共5页
• 作者

  Shuxin LI; Yunjun RUI; Yunqing CAO; Jun XU; Kunji CHEN;

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• 作者单位

  ^pNational;

  Laboratory;

  of;

  Microstructures,;

  School;

  of;

  Electronic;

  Science;

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  Engineering,;

  School;

  of;

  Physics,;

  Nanjing;

  University,;

  Nanjing;

  210093,;

  China;

  ^pof;

  Applied;

  Physics,;

  Nanjing;

  University;

  of;

  Technology,;

  Nanjing;

  210009,;

  China;

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• 收录信息
• 原文格式 PDF
• 正文语种 CHI
• 中图分类 TN304.24;
• 关键词

  碳化硅薄膜; 光学带隙; 退火温度; 电子特性; 非晶; 化学气相沉积系统; 等离子体增强; 暗电导率;

  机译：碳化硅薄膜;光学带隙;退火温度;电子特性;非晶;化学气相沉积系统;等离子体增强;暗电导率;
• 入库时间 2024-01-27 07:38:32