低临界转换频率的双频驱动液晶分子的设计、制备及性能

摘要

目前市售的双频驱动液晶材料存在临界转换频率高、驱动电压高、种类少等问题,限制了其在显示和光学器件上的应用。基于材料物理性能和分子结构的关系,通过改变分子末端基团种类、刚性环个数、侧链氟原子的取代位置和个数,设计并制备出9种双频驱动液晶分子。采用傅里叶红外光谱和核磁共振氢谱表征分子结构,通过差示扫描量热仪结合偏光显微镜表征相态及相变温度,最后采用阻抗分析仪测定化合物的介电常数、计算临界转换频率。实验结果表明,单一化合物的临界转换频率可降低至20.1kHz。另外,通过密度泛函理论对分子结构进行了模拟计算,发现理论计算结果与实验结果一致。