Se掺杂介孔二氧化锰的合成及电化学性能研究

摘要

以介孔硅SBA-15为模板,硝酸锰作锰源,采用液相浸渍法,合成了介孔二氧化锰;在合成的过程中掺入硒粉,制备硒掺杂的介孔二氧化锰.采用XRD、SEM、TEM和BET等分析手段对样品的形貌和结构进行表征.结果表明:所合成的介孔二氧化锰与SBA-15具有相似的形貌和有序介孔结构;掺杂硒后,介孔二氧化锰的形貌和结构都没有明显的变化.为了研究样品的电化学性能,在9 mol/L KOH溶液中,250 mA/g的电流密度下放电.结果表明:介孔二氧化锰的放电容量达到344.26 mAh/g,比EMD增加119.7%.掺杂硒后,介孔二氧化锰的放电容量增大了,当掺硒量为5%时,介孔二氧化锰的放电容量最大,达到430.25 mAh/g,比EMD增加174.6%.