首页> 中文期刊> 《中国集成电路》 >东芝推出43nm的SLC NAND闪存 成为市场上最高密度芯片

东芝推出43nm的SLC NAND闪存 成为市场上最高密度芯片

         

摘要

东芝宣布推出43nm单层存储单元(SLC)的NAND闪存,产品容量从512Mb到64Gb,共有16个系列。新产品包括16Gb、32Gb和64Gb三种,结合采用43nm制程技术的单16Gb芯片,这是市场上最高密度的芯片。新产品运用领先的43nm制程技术和增加数据存储的先进技术,将每块芯片的容量提升到了以往56nm的SLC产品的2倍。从而为需要更高性能和可靠性的设备提供服务。与MCLNAND闪存相\Ⅶ,新产品的写入速度约为2.5倍。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号