首页> 中文期刊>中国集成电路 >LSI逻辑计划采用自有90nm工艺

LSI逻辑计划采用自有90nm工艺

     

摘要

LSI逻辑近日宣布:计划采用该公司90nm工艺生产下一代RapidChip平台ASIC系列产品。新的硅片将为系统设计师提供90nm工艺最大的集成度及性能优势,并提供RapidChip平台ASIC技术所拥有的快速上市、NRE支出减少、工程成本降低等优势。RapidChip 90nm系列产品使设计工程师可利用平台ASIC技术的优势.广泛用于包括通讯、存储、工业、医疗、国防和高端消费电子等在内的应用系统。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号