裂变电离室中子探测效率与灵敏度计算

赵江滨

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裂变电离室中子探测效率与灵敏度计算

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机译：基本上裂变中子的能量在1MeV左右,在工作的裂变电离室周围,会有大量的慢化、屏蔽材料和设备,故假设电离室中的入射中子能量为0.025eV(热中子)。中子发生裂变后,出射的两个裂变碎片朝相反方向运动(一般不考虑三裂变情况),于是进入电离室内的粒子为重核裂变碎片或轻核裂变碎片,这里先考虑重核碎片。假设裂变电离室置于均匀中子场中,中子垂直入射到电极,中子与平板电离室镀层的相互作用如图1所示。

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来源
《中国原子能科学研究院年报：英文版》 |2018年第1期|P.144-145184-186|共5页
作者
赵江滨;
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作者单位

核技术应用研究所;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TL811.1;
关键词
中子探测效率; 电离室; 灵敏度计算;

机译：中子探测效率;电离室;灵敏度计算;
入库时间 2022-08-19 04:43:18

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