试析冷结晶正浮选工艺中氯化钾晶体生长规律及粒度控制实验

摘要

冷结晶正浮选工艺中,氯化钾实际上是在常温情况下对于光卤石矿加以控速分解的结晶,其可以有效把控溶液里面的氯化钾过饱和度,减少KCI晶体数目,促使晶体良好生长.此次采取合适的检测方式分析了晶体生长基本规律,着重探索了温度下滑速度对于氯化钾水溶液冷却环节所导致过饱和度的影响,还有加入晶种的条件和晶体粒度关系.而且,通过直接冷却刺激起晶带来的晶种,同时把控晶体生长达到严格控制晶体粒度的目的.相关结论表示,在加入晶种的情况下,程序降温过程带来的低过饱和度不容易发生爆发成核现象,与此同时晶种的添加量是由晶体粒度和理想生长模型偏差所决定的.除去这些以外,温度下滑速率乃冷却刺激起晶导致晶种粒径的核心因素.