一种端羧基超支化聚酯阻垢剂的合成及其阻垢性能研究

摘要

针对多晶硅换热器运行过程结垢问题,以三羟甲基丙烷(TMP)为核、2,2-二羟甲基丙酸(DMPA)为AB2型聚合单体,合成端羟基超支化聚酯(HBP-OH),再以马来酸酐(MAH)进行端羟基改性,得到一种端羧基超支化聚酯(HBP-OMA)阻垢剂,考察了反应时间、反应温度、n(HBP-OH):n(MAH)对HBP-OMA阻垢性能的影响.确定HBP-OMA最佳合成工艺条件为:反应时间4.0 h、反应温度100°C、n(HBP-OH):n(MAH)=1:1.5.当HBP-OMA阻垢剂添加量为7 mg·L-1时,对碳酸钙的阻垢率达到96％左右,具有良好的阻垢性能.