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GE; Fanuc自动化公司; 运动控制器; PACSystems^TMDSM314; 诊断功能;
机译:官能化非聚酯簇的早期过渡 - 金属配合物:[CP-2(MECN)Ti(ETA(1)-ge-9 {Si(TMS)(3)}(3))]和K-3的合成和表征 [CP2TI(ETA(1)-ge-9 {SI(TMS)(3)}(2))(2)]
机译:R3Co0.5GeS7(R = Y,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Tb,Dy,Ho,Er和Tm)和R3Ni0.5GeS7(R = Y,Ce,Sm,Gd)的晶体结构和磁性,Tb,Dy,Ho,Er和Tm)
机译:快速凝固的Ge-Al-TM-Si(TM-过渡金属)合金中纳米颗粒Ge颗粒的沉淀
机译:具有TMS320C6713 DSP处理器的蛇状运动控制器设计
机译:扫描隧道显微镜研究Ir在Ge(111)上,Ag在Ge(110)上以及溅射能量对Ge(110)上形成的金字塔的影响。
机译:富含锗的准金属簇Ge9R3-和Ge9RI2 2-的N杂环卡宾金属络合物其中R = Si(iPr)3和RI = Si(TMS)3
机译:超冷却Al-Ge-Tm(Tm = Cr,Fe,Co)合金的相转变和磁性
机译:mg-Tm-X合金中mg基金属玻璃的形成和性质(Tm = Cu或Ni; X = sn,si,Ge,Zn,sb,Bi或In)
机译:具有多晶硅正常入射的TM:II-VI TM:II-VI中红外克尔透镜模式锁定激光器TM:II-VI材料和控制多晶硅TM:II-VI Kerr透镜模式锁定激光器的方法
机译:Ge Ge层状Ge的制造方法,用于剥离层状的Ge纳米片和含有该Ge纳米片的锂离子电池用电极
机译:Nb2O5-Ge / GeO2 Nb2O5-Ge / GeO2用于二次电池的电极的Nb2O5-Ge / GeO2微复合材料的制造方法以及由其制备的含Nb2O5-Ge / GeO2微复合材料的电极活性材料
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