用中子活化分析镀膜厚度及其探测极限研究

摘要

本工作提出用中子活化分析有基底的单层或多层镀膜厚度的方法.用Am-Be中子源对Au、Al、Cu等薄膜活化后,用HPGe探测器测量被活化薄膜放出的特征γ射线全能峰面积,并用蒙特卡罗方法模拟计算HPGe探测器对不同特征γ射线的探测效率,得到用反应堆中子源活化分析不同元素镀膜厚度的方法和探测极限.与目前广泛使用的X射线荧光方法相比,其分析灵敏度可提高几个量级.