科研人员提出抑制超宽禁带半导体材料AlN位错的新方法

摘要

＜正＞超宽禁带半导体材料氮化铝（AlN）具有超高击穿场强、高饱和电子漂移速度、高热导率、高表面声速、高非线性光学系数等优点,可用于制备大功率电子器件、表面声波滤波器、激光器、紫外探测器、紫外发光器件,在航天航空、5G通信、功率开关、杀菌消毒、新能源等领域发挥重要作用。现阶段,在大尺寸、低成本、工艺成熟的蓝宝石衬底上利用MOCVD方法进行异质外延生长是制备AlN材料的主流技术路线。然而,AlN外延层和蓝宝石衬底之间存在严重的晶格失配和热失配,