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魏健宁; 韩福生; 高俊昌;
中国科学院固体物理研究所;
金属基复合材料; 内耗; 位错; 热应力;
机译:棱柱形位错环与界面网络位错相互作用的离散位错动力学研究
机译:SiGe梯度层中位错的不均匀分布及其对应变Si / Si_(0.8)Ge_(0.2)界面处的表面形态和失配位错的影响
机译:界面位错与纳米级不均匀性相互作用的边缘位错堆积的断裂行为研究
机译:棱镜脱位环路界面位错网络的形态变化:离散位错动力学模拟
机译:AgCu共晶中具有特征界面的位错相互作用。
机译:位错偶极双周期阵列中的宏观应力和应变
机译:各向异性两相介质中的界面边缘位错和位错壁。
机译:使用FLOOD-STEINBERG标记能够从16位图像系统获得与24位图像类似的质量的位错现象改进方法,而使用PC可读介质的FLOW-STEINBERG改进方法则是通过16位图像位错现象改进的方法在计算机上读取的介质
机译:通过高温退火和保持表面形态从碳化硅衬底表面去除基面位错
机译:通过高温退火消除后生长的碳化硅外延层中的基面位错,同时保留表面形态
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