p型铸造单晶硅光注入再生后LID与LeTID的机制分析

摘要

光致衰减（LID）与热辅助光诱导衰减（LeTID）是晶硅太阳电池的2种主要衰减，其典型光注入条件分别为25℃、1 sun（LID环境）和75℃、1 sun（LeTID环境）。从有效少子寿命的角度研究p型铸造单晶硅的衰减机制。200℃、7 suns光注入处理过程中样品少子寿命先下降后恢复，这一过程称为光注入再生处理。在LID环境下，无光注入再生处理的样品具有快速与慢速2个衰减阶段，光注入再生处理的样品只有快速衰减阶段。计算两组样品带隙中央附近的缺陷电子/空穴俘获截面比k约为7，表明其中缺陷与直拉单晶硅（Cz-Si）中的BO缺陷相同。对光注入再生处理的样品，在LeTID环境下的衰减阶段计算出k约为35，此数值与多晶硅（mc-Si）中LeTID缺陷的一致。