单层有机电致发光器件的电流传导机制的数值拟合分析

摘要

采用真空蒸镀的方法制备了以八羟基喹啉铝(Alqb)为功能层的单层同质结有机电致发光器件,器件结构为indium-lin-oxide(rro)/tris(8-hydroxylquinoline)-aluminum(Alq3)(x nm)/Mg:Ag.通过改变有机功能层的厚度,采用陷阱电荷限制电流(眦)理论对器件电流的数值拟合方法具体地研究了不同薄膜厚度的有机半导体器件内部电流的传导机制,验证了实验结果和理论推导的一致性.结果表明,Alq3层厚度较低的单层器件随外加电压增大,器件电流经历了从欧姆电导区、TEIE区到TCLC.空间电荷限制电流(SCLC)过渡区三个区域的变化;而对于Alq3层厚度较高的单层器件,Alq3层中的陷阱机构增多,导致电流一电压曲线的SCLC区域消失.