University of Notre Dame.;
机译:保留铁电材料中的中间极化状态,从而实现用于多位数据存储的存储器
机译:模拟模拟内存,突触权重和遗忘的生物突触功能,并使用基于ZnO的存储器设备忘记
机译:基于铋铁氧体(BIFEO_3)的内存设备中的铁电偏振诱导膜行为
机译:铁电体的部分开关,用于突触重量存储
机译:铁电/电极接口:非易失性存储器中PZT电容器的极化切换和可靠性
机译:通过缓冲界面极化波动来增强铁电有机晶体管存储器的载流子迁移率
机译:保留铁电材料中的中间极化状态,从而实现用于多位数据存储的存储器