The University of Chicago;
机译:口袋掺杂FD-SOI技术工作障碍变化研究温度分析
机译:电子功函数随温度的变化及其对金属杨氏模量的影响
机译:考虑线边缘粗糙度,功函数变化和温度敏感性的超薄SOI亚阈值SRAM分析
机译:基于工作温度的变化和主要初始浓度的变化,使用金属 - 有机框架HKUST-1分析锶等温吸附
机译:DRAM / eDRAM和3D-DRAM的省电方法,利用工艺变化,温度变化,设备降级和内存访问工作负载变化,以及使用具有服务质量的3D-DRAM的创新的异构存储管理方法。
机译:无线传感器网络中温度变化的有效传输功率控制方案
机译:氧化物涂层阴极的功函数和电导率