The University of Nebraska - Lincoln.;
机译:在低入射能量下k对电子的激发的微分截面:II。激励4p(5)5p,4p(5)4d和4p(5)6s配置
机译:从4p(6),4p(5)5s和4p(5)5p配置水平对k进行电子碰撞激发的截面
机译:脉冲激发氩离子中的角动量分配和子壳多极矩
机译:摆轮空间角动量管理的脉冲控制
机译:光的轨道角动量向超材料中的等离子体激发转移
机译:脉冲激发氩离子中的角动量分配和子壳多极矩
机译:单电离氪4p(4)5p构型的辐射寿命和碰撞失活率。