基于聚苯乙烯磺酸(PSS)有机薄膜存储器的制备及其存储特性研究

目录

声明

第一章 绪论

1.1 研究背景和意义

1.2 有机存储器研究现状

1.3 聚苯乙烯磺酸（PSS）薄膜的研究

1.4 本课题的研究意义与内容

第二章 薄膜的制备方法和表征手段

2.1 薄膜的制备方法

2.2 薄膜结构和性能表征方法

第三章 PSS/Si界面的结构和性能的研究

3.1 PSS/Si薄膜结构的制备

3.2 Ag/PSS/Si样品的结构与表面形貌

3.3 Ag/PSS/Si样品性能研究

3.4 Ag/PSS/Si样品的频率依赖性

3.5 Ag/PSS/Si样品的疲劳特性和保持特性

3.6 Ag/PSS/Si样品的存储机制

3.7 本章小结

第四章 PSS/Ge界面的结构和性能研究

4.1 Ag/PSS/Ge薄膜结构的制备

4.2 Ag/PSS/Ge样品的界面结构

4.3 Ag/PSS/Ge薄膜结构的频率依赖性

4.4 不同方法处理Ge基片表面对Ag/PSS/Ge样品性能的影响

4.5 Ag/PSS/Ge/Ge薄膜结构的频率依赖性

4.6 本章小结

第五章 PSS/Ge/Si界面的结构和性能的研究

5.1 Ag/PSS/Ge/Si薄膜结构的制备

5.2 Ag/PSS/Ge/Si样品的结构表征

5.3 不同厚度Ge缓冲层对Ag/PSS/Ge/Si样品C-V特性的影响

5.4 Ag/PSS/Ge/Si样品频率依赖性

5.5 Ag/PSS/Ge/Si样品疲劳特性和保持特性

5.6 不同厚度Ge缓冲层对Ag/PSS/Ge/Si样品P-E特性的影响

5.7 本章小结

第六章 结论

参考文献

致谢