单晶碳化硅薄膜制备及二氧化硅基复合体系的光致发光研究

摘要

该论文的内容可分为两大部分:其一是宽带隙半导体材料SiC薄膜的生长;其二是以多孔SiO<,2>为基体的掺杂/复合材料的光致发光.在SiC薄膜生长方面,为获得优质单晶薄膜必须解决许多方面的问题.该文分别就SiC/Si界面空洞缺陷的消除和SiC薄膜生长的热化学过程进行了研究:SiO<,2>基复合材料的光致发光在光电器件方面具有非常广泛的应用.该文分别就掺杂SiO<,2>中的本征缺陷发光和纳米AgI-SiO<,2>、ZnO-SiO<,2>等复合体系发光方面进行了研究.

目录

文摘

英文文摘

第一章SiC材料综述

1.1 SiC材料的结构特征

1.2 SiC材料制备

1.2.1体单晶生长

1.2.2薄膜生长

1.2.3外延膜质量表征

1.2.4纳米SiC

1.3 SiC器件研究

参考文献

第二章PS/SiO2叠层反应法制备无空洞缺陷的SiC薄膜

2.1样品制备

2.2样品表征

2.3结果与分析

2.3.1真空热处理样品

2.3.2 Ar气中热处理样品

2.3.3制备条件对薄膜及界面的影响

小结

参考文献

第三章空洞缺陷形成及抑制机理

3.1空洞缺陷形成机理

3.2抑制空洞缺陷形成的一些方法

小结

附录

参考文献

第四章PLD-SiC薄膜高温退火的热化学过程

4.1样品制备

4.2样品表征与分析

4.2.1 FTIR分析

4.2.2 XPS分析

小结

参考文献

第五章二氧化硅基发光材料综述

5.1 SiO2中的常见缺陷及其光跃迁［45］

5.2 SiO2凝胶简介

5.3多孔SiO2复合材料

参考文献

第六章掺杂非晶SiO2中的缺陷发光

6.1实验

6.2 PL分析

6.3 PL峰归属

6.4缺氧型缺陷形成机制

小结

参考文献

第七章多孔SiO2中纳米AgI的室温光致发光

7.1样品制备

7.2样品表征

7.3结果与分析

7.3.1 AgISiO2薄膜(样品C）

7.3.2 AgI-SiO2粉末（样品P）

7.3.3 AgI-SiO2玻璃体（样品G）

小结

参考文献

第八章多孔SiO2-ZnO复合体系的光致发光

8.1样品制备

8.2样品表征

8.3结果与分析

8.4发光峰归属讨论

小结

参考文献

第九章结论

致谢

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