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第一章 正电子理论计算系统概述
1.1正电子学简介
1.1.1正电子历史
1.1.2正电子谱学原理
1.2正电子实验技术
1.3正电子理论计算技术
1.4正电子理论计算系统的搭建
1.5单晶铝内各种空位型缺陷的正电子计算(系统检验)
第二章 周期表中元素单晶正电子计算
2.1氢(H)
2.2氦(He)
2.3锂(Li)
2.4铍(Be)
2.5硼(B)
2.6碳(C)
2.7氮(N)
2.8氧(O)
2.9氖(Ne)
2.10钠(Na)
2.11镁(Mg)
2.12铝(Al)
2.13硅(Si)
2.14磷(P)
2.15硫(S)
2.16氯(Cl)
2.17氩(Ar)
2.18钾(K)
2.19钙(Ga)
2.20钪(Sc)
2.21钛(Ti)
2.22钒(V)
2.23铬(Cr)
2.24锰(Mn)
2.25铁(Fe)
2.26钴(Co)
2.27镍(Ni)
2.28铜(Cu)
2.29锌(Zn)
2.30镓(Ga)
2.31锗(Ge)
2.32砷(As)
2.33硒(Se)
2.34氪(Kr)
2.35铷(Rb)
2.36锶(Sr)
2.37钇(Y)
2.38锆(Zr)
2.39铌(Nb)
2.40钼(Mo)
2.41锝(Tc)
2.42钌(Ru)
2.43铑(Rh)
2.44钯(Pd)
2.45银(Ag)
2.46镉(Cd)
2.47铟(In)
2.48碘(I)
2.49氙(Xe)
2.50铯(Cs)
2.51钡(Ba)
2.52铈(Ce)
2.53镨(Pr)
2.54钕(Nd)
2.55钷(Pm)
2.56钐(Sm)
2.57铕(Eu)
2.58钆(Gd)
2.59铽(Tb)
2.60镝(Dy)
2.61钬(Ho)
2.62铒(Er)
2.63铥(Tm)
2.64镱(Yb)
2.65镥(Lu)
2.66铪(Hf)
2.67钽(Ta)
2.68钨(W)
2.69铼(Re)
2.70锇(Os)
2.71铱(Ir)
2.72铂(Pt)
2.73金(Au)
2.74汞(Hg)
2.75铊(Tl)
2.76铅(Pb)
2.77钋(Po)
2.78镭(Ra)
2.79锕(Ac)
2.80钍(Th)
2.81镤(Pa)
2.82铀(U)
2.83镎(Np)
2.84钚(Pu)
2.85镅(Am)
2.86锔(Cm)
2.87锫(Bk)
2.88锎(Cf)
2.89总结与分析
2.89.1 LDA方法
2.89.2 GGA方法
第三章 碳同素异形体的正电子计算
3.1石墨,金刚石和C60的正电子计算
3.1.1石墨
3.1.2金刚石
3.1.3 C60
3.2不同管径多壁碳纳米管束的正电子计算
第四章 化合物半导体的正电子计算
4.1化合物半导体材料-ZnO
4.1.1自由态正电子湮没
4.1.2 Zn单空位
4.1.3 O单空位
4.1.4 Zn双空位
4.1.5 O双空位
4.1.6 Zn-O双空位
4.1.7 ZnO中正电子湮没行为总结与分析
4.2化合物半导体材料-GaN
4.2.1 自由态正电子湮没
4.2.2 Ga单空位
4.2.3 N单空位
4.2.4 Ga双空位
4.2.5 N双空位
4.2.6 Ga-N双空位
4.2.7 GaN单晶中正电子湮没行为总结与分析
4.3化合物半导体材料-GaAs
4.3.1 自由正电子湮没
4.3.2 Ga单空位
4.3.3 As单空位
4.3.4 Ga双空位
4.3.5 As双空位
4.3.6 Ga-As双空位
4.3.7单晶GaAs中正电子湮没行为总结与分析
4.4化合物半导体材料-SiC
4.4.1自由态正电子湮没
4.4.2 Si单空位
4.4.3 C单空位
4.4.4 Si双空位
4.4.5 C双空位
4.4.6 Si-C双空位
4.4.7 6H-siC单晶中正电子湮没行为总结与分析
4.5化合物半导体材料-InP
4.5.1自由态正电子湮没
4.5.2 In单空位
4.5.3 P单空位
4.5.4 In双空位
4.5.5P双空位
4.5.6 In-P双空位
4.5.7 InP单晶中正电子湮没行为总结与分析
第五章 高温超导体的正电子计算
5.1铜基高温超导体YBaCuO中正电子湮没及分布
5.1.1 自由正电子湮没
5.1.2 Y单空位
5.1.3 Ba单空位
5.1.4 Cu单空位
5.1.5 O单空位
5.1.6 YBa2Cu3O7单晶正电子湮没总结与分析
5.2铁基高温超导体SmFeAsO中的正电子湮没
5.2.1 自由正电子湮没
5.2.2 Fe单空位
5.2.3 Sm单空位
5.2.4 As单空位
5.2.5 O单空位
5.2.6 SmFeAsO正电子湮没总结
第六章结束语
参考文献
致谢
在读期间发表的论文与取得的研究成果