小尺度纳米通道的制备及离子迁移规律的初步研究

目录

声明

第一章 绪论

1.1 研究背景及意义

1.2 固态纳米孔通道制备技术的研究进展

1.3 基于固态纳米孔通道的离子迁移研究进展

1.4 本文的研究内容

第二章 基于介质电击穿的纳米通道制备平台

2.1 引言

2.2 纳米通道制备平台设计

2.3 基于介质电击穿法的纳米通道制备实验原理

2.4 纳米通道制备实验材料及设备

2.5 纳米通道制备实验前期准备、操作流程与数据收集

2.6 小尺度纳米通道的表征方法

2.7 本章小结

第三章 离子束减薄SiN芯片的纳米通道制备工艺探索

3.1 引言

3.2 实验关键材料的制备

3.3 基于软件控制系统开发的制备工艺探索

3.4 纳米通道制备后的表征

3.5 泄漏电流对纳米通道制备工艺影响的研究

3.6 本章小结

第四章 化学刻蚀减薄SiN芯片及石墨烯芯片的纳米通道制备工艺探索

4.1 引言

4.2 实验关键材料的制备

4.3 基于软件控制系统开发的制备工艺探索

4.4 纳米通道制备结果

4.5 SiN薄膜亲水性及电压对纳米通道制备影响的研究

4.6 本章小结

第五章 离子迁移规律的初步研究

5.1 引言

5.2 实验材料设备及关键系统

5.3 离子检测实验方法

5.4 不同大小偏置电压对离子迁移情况影响的研究

5.5 不同溶液浓度对离子迁移情况影响的研究

5.6 本章小结

第六章 总结与展望

6.1 总结

6.2 展望

致谢

参考文献

攻读硕士期间的研究成果