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1.2 SiC GTO 晶闸管的研究意义
3.2 SiC GTO 晶闸管栅-阳极浪涌实验退化机理研究
4.4 高温反偏应力对 SiC GTO 晶闸管电学特性的影响
杨柳;
西安电子科技大学;
机译:一种基于AlGaAs / GaAs的新型大功率光电晶闸管,用于脉冲功率开关应用
机译:具有直接载流子提取访问漂移区域以进行功率转换应用的4H-SiC栅极关断晶闸管的研究
机译:基于InP的光敏晶闸管,用于脉冲功率开关应用
机译:基于5kV不对称4H-SiC晶闸管的高功率脉冲应用数值模拟研究
机译:基于数值模拟的脉冲功率应用4H-SiC光电导开关的评估。
机译:AlN中间层对大功率脉冲磁控溅射SiC薄膜结构和化学性能的影响
机译:基于SIC基功率MOSFET中电流脉冲引起的热机械应变的研究
机译:用于高级脉冲功率应用的20 kV,2 cm2,4H-sIC栅极关断晶闸管
机译:两个晶闸管脉冲转换器的控制电路-具有单独的AND =门的输入连接到时钟脉冲计数器控制输出,并输出到功率晶闸管
机译:用于高功率控制的碳化硅(SIC)栅极截止(GTO)晶闸管设备和方法
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