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【6h】

基于脉冲应用的SiC功率晶闸管研究

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目录

1.2 SiC GTO 晶闸管的研究意义

3.2 SiC GTO 晶闸管栅-阳极浪涌实验退化机理研究

4.4 高温反偏应力对 SiC GTO 晶闸管电学特性的影响

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著录项

  • 作者

    杨柳;

  • 作者单位

    西安电子科技大学;

  • 授予单位 西安电子科技大学;
  • 学科 集成电路工程
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 汤晓燕,乐立鹏;
  • 年度 2020
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TQ3TQ1;
  • 关键词

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