退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
王鹏辉;
南京邮电大学;
机译:氯化氢表观方法制备的基于gan / algan异质结构的紫外LED的特性研究
机译:GaN量子点紫外LED的制备及光学特性
机译:GaN量子点紫外LED的制备和光学特性
机译:氮化物半导体可以提供直接过渡的宽带隙能量,从而使200至400nm的紫外(UV)发射能够。 GaN P-N结,IngaN-LED,GaN-MQW-LED,Algan-QW-LED和InalGaN LED被提出为UV发射器S.
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:新型薄GaN LED结构采用微磨光表面可与传统垂直LED在紫外光下进行比较
机译:新型薄GaN LED结构采用微磨光表面,可与传统垂直LED在紫外光下进行比较
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(<250nm)发射的频率倍增蓝绿激光(2年级)。
机译:GaN基LED元件电极和GaN基LED元件及其制备方法。
机译:GaN基LED元件,制造方法以及用于制造GaN基LED元件的模板的GaN基LED元件
机译:GaN基LED元件,制造GaN基LED元件的方法以及制造GaN基LED元件的模板
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。