头穴电针诱导NGF透血脑屏障效应及对脑缺血大鼠学习记忆能力的影响

摘要

目的：1．观察头穴电针诱导NGF透BBB的效应及与PKC通路相关性；　　2．观察头穴电针诱导NGF透BBB对脑缺血模型大鼠学习记忆能力的影响。　　方法：1．实验第一部分采用反复脑缺血再灌注的方法，建立学习记忆障碍大鼠动物模型，在大鼠BBB完整稳定后（术后第21天），随机分为模型对照组、NGF组、电针组、NGF+电针组、NGF+H7+电针组，另设假手术组。处理时假手术组、模型对照组仅注射生理盐水，NGF组尾静脉注射NGF，电针组刺激大鼠“百会”和“哑门”穴，50HZ，强度2mA，NGF+电针组，NGF+H7+电针组均在尾静脉注射 NGF基础上，再结合电针“百会”和“哑门”穴，并给NGF+H7+电针组同时予以腹腔注射PKC阻断剂H7。30分钟后取大鼠全脑组织，用ELISA法检测各组大鼠脑组织中NGF含量；　　2．实验第二部分建立学习记忆障碍大鼠动物模型，造模方法同第一部分实验大鼠。在大鼠BBB完整稳定后（术后第21天），随机分为模型对照组、NGF组、电针组、NGF+电针组、另设假手术组。大鼠处理同第一部分实验大鼠，连续15天，于第16天开始对大鼠进行Morris水迷宫实验，观察各组大鼠空间学习记忆能力变化。　　结果：1．在大鼠脑组织 NGF含量检测中，NGF组与模型对照组比较，有少量提高，但不明显（P＞0.05）；电针组与模型对照组比较，有微量提高（P＞0.05）；NGF+电针组与NGF组比较，有明显提高，差异显著（P<0.01）；NGF+H7+电针组与NGF+电针组比较，有下降趋势，但尚无显著性意义（P＞0.05）。　　2．在Morris水迷宫实验中，模型对照组大鼠有明显的学习记忆能力障碍，与假手术组比较，差异显著（P<0.01）；NGF组、电针组与模型对照组比较，学习记忆能力均无明显改善（P＞0.05），NGF+电针组与模型对照组比较，学习能力改善呈明显差异（P<0.05），但记忆能力改善不明显（P＞0.05），仅呈改善趋势。　　结论：1．头穴电针能诱导NGF透过血脑屏障，使脑组织中NGF含量明显提高，头穴电针是诱导NGF透血脑屏障的有效方法之一；　　2．头穴电针诱导NGF透BBB作用与PKC通路相关性不太明显，但存在相关趋势；　　3．头穴电针诱导NGF透BBB提高了脑缺血模型大鼠的学习能力，记忆能力改善不明显，但存在一定的改善作用。

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前言

第一部分 头穴电针诱导NGF透血脑屏障效应及与PKC通路相关性初探

一、实验材料与方法

（一）实验材料

（二）实验方法

二、结 果

（一）实验大鼠造模、饲养、治疗、灌注情况

（二）各组大鼠脑组织中NGF含量

第二部分 头穴电针诱导NGF透血脑屏障对脑缺血模型大鼠学习记忆能力的影响

一、实验材料与方法

（一）实验材料

（二）实验方法

二、结 果

（一）实验大鼠造模、饲养、治疗情况

（二）Morris水迷宫实验

三、分析与讨论

（一）祖国医学对学习记忆障碍的认识

（二）NGF的研究现状

（三）现代医学对BBB的认识

（四）头穴电针诱导NGF透BBB效应及与PKC通路的相关性

（五）头穴电针诱导NGF透BBB对脑缺血模型大鼠学习记忆能力的影响

（六）本实验模型选择问题

四、小结

参考文献

致谢

文献综述