声明
致谢
摘要
第1章 绪论
1.1 引言
1.2 半导体光催化技术
1.2.1 半导体光催化简介
1.2.2 半导体光催化机理
1.2.3 提高半导体光催化反应效率的方法
1.3 类石墨相氮化碳(g-C3N4)的概述
1.3.1 g-C3N4研究进程
1.3.2 g-CaN4的结构和性质
1.3.3 g-C3N4的制备方法
1.3.4 g-C3N4的修饰改性
1.3.5 g-C3N4的应用
1.4 本论文的选题意义及主要内容
1.4.1 选题意义
1.4.2 主要内容
第2章 实验方法
2.1 实验原材料和设备
2.2 实验工艺流程
2.2.1 g-C3N4和质子化g-C3N4(p-g-C3N4)的制备工艺
2.2.2 氧化石墨烯(GO)的制备工艺
2.2.4 Ag/AgCl/p-g-C3N4纳米复合材料的制备工艺
2.2.5 g-C3N4纳米片的制备工艺
2.3 样品的结构表征
2.3.1 X射线衍射分析(XRD)
2.3.2 透射电子显微镜分析(TEM)
2.3.3 扫描电子显微镜分析(SEM)
2.3.4 能谱分析(EDS)
2.3.7 光致发光光谱分析(PL)
2.4 样品光催化性能的检测
第3章 GO/p-g-C3N4纳米复合材料的制备及其可见光光催化性能的研究
3.1 引言
3.2 p-g-C3N4和GO/p-g-C3N4的制备
3.3.1 样品的XRD分析
3.3.2 样品的形貌分析
3.3.3 样品的XPS分析
3.3.4 红外光谱分析
3.3.5 表面Zeta电位分析
3.3.6 样品的紫外-可见光谱分析
3.3.7 样品的光致发光谱分析
3.3.8 样品的光催化性能表征
3.3.9 样品的可见光光催化机理分析
3.4 本章总结
第4章 Ag/AgCl/p-g-C3N4纳米复合材料的制备及其可见光光催化性能的研究
4.2 Ag/AgCl/p-g-C3N4纳米复合材料的制备
4.3 样品的表征
4.3.1 样品的XRD表征
4.3.2 样品的形貌分析
4.3.2 样品的XPS分析
4.3.4 样品的紫外-可见吸收光谱分析
4.3.5 样品的光致发光谱图分析
4.3.6 样品的光催化性能表征
4.3.7 样品的可见光光催化机理分析
4.4 本章总结
第5章 g-C3N4纳米片的制备及其可见光光催化性能的研究
5.1 引言
5.2 样品的制备
5.3 样品的表征
5.3.1 样品的XRD分析
5.3.2 样品的形貌分析
5.3.3 样品的XPS分析
5.3.4 样品的紫外-可见光谱分析
5.3.5 样品的光致发光谱图分析
5.3.6 样品的光催化可见光光催化性能的评价
5.3.7 样品的光催化动力学分析
5.4 本章总结
第6章 全文总结与展望
6.1 全文总结
6.2 工作展望
参考文献
攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况