大长径比微米孔道中的电化学沉积行为研究

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1 绪 论

1.1 引言

1.2.1 硅通孔(TSV)技术发展现状

1.2.2 三维大规模集成电路(3D-LSI)的应用

1.3 多孔硅模板的研究现状

1.3.1 多孔硅模板

1.3.2 多孔硅模板的主要制备方法

1.3.3 多孔硅模板的应用与发展

1.4.1 AAO模板

1.4.2 径迹刻蚀模板

1.4.3 其他模板

1.5.1 金属离子电化学沉积研究

1.5.2 电化学沉积的主要应用

1.6 本论文主要研究目的及内容

2 样品的制备与表征方法

2.1 实验主要化学试剂

2.2主要实验仪器

2.3制备多孔硅模板工艺

2.3.1预制坑制备工艺

2.3.2 光电化学腐蚀法制备多孔硅模板工艺

2.4.1 硅通孔的制备方法

2.4.2电化学沉积实验

2.5表征方法

2.5.1场发射扫描电子显微镜分析(FE-SEM)

2.5.2 X射线衍射(XRD)测试

3 多孔硅阵列孔道的制备工艺研究

3.1 多孔硅光电化学腐蚀原理

3.2 预制坑制备工艺研究

3.2.1 SiO2层腐蚀工艺研究

3.2.2 KOH腐蚀预制坑工艺研究

3.3 多孔硅模板初始制备工艺研究

3.4.1 腐蚀电压对多孔硅阵列孔道形貌影响

3.4.2 HF配比浓度对多孔硅阵列孔道形貌影响

3.4.3 腐蚀时间对多孔硅阵列孔道形貌影响

3.5.1 腐蚀电压对多孔硅阵列孔道形貌影响

3.5.2 HF配比浓度对多孔硅阵列孔道形貌影响

3.5.3腐蚀时间对多孔硅阵列孔道形貌影响

3.6 辐照光源对孔道结构及形貌影响的原因初探

3.7本章小结

4 微米多孔硅阵列孔道中的电化学沉积行为研究

4.1.1 多孔硅阵列通孔结构制备

4.1.2 微米尺度多孔硅阵列孔道中电化学沉积工艺研究

4.1.3 沉积电压对铜阵列微结构的影响

4.1.4 基底厚度对铜阵列微结构的影响

4.1.5 微孔孔径对铜阵列微结构的影响

4.2 铜在多孔硅阵列孔道中电沉积行为分析

4.2.1 多孔硅阵列孔道内树枝状沉积物形成原因分析

4.2.2 多孔硅阵列孔道内棒状沉积物形成原因分析

4.2.3 多孔硅阵列孔道内多孔状沉积物形成原因分析

4.3 本章小结

5 结 论

致 谢

参考文献

攻读学位期间取得的研究成果