纯铝磁控溅射小丘的改善方法研究

目录

声明

第一章绪论

1.1 磁控溅射

1.2 纯铝磁控溅射在TFT-LCD 中的应用

1.3 纯铝薄膜小丘现象

1.4.1 小丘机理研究现状

1.4.2 小丘抑制方法的研究现状

1.5.1 课题研究意义

1.5.2 课题研究内容及创新

第二章实验设备和检测技术

2.1 SMD-2400C 溅射系统

2.2 残余气体分析仪

2.3 小丘检测设备

2.3.1 自动光学检测设备

2.3.2 扫描电子显微镜

2.3.3 TFT 电性测试设备

第三章溅射工艺参数对小丘的影响

3.1.1 溅射结晶过程

3.1.2 成膜温度对晶粒尺寸的影响

3.1.3 成膜温度对小丘的验证结果

3.2.1 溅射功率对铝薄膜的影响

3.2.2 成膜功率对小丘的验证结果

3.3.1 成膜压力对溅射成膜的影响

3.3.2 成膜压力对小丘的影响验证

3.4.1 溅射成膜前预烘烤过程

3.4.2 预烘烤温度对小丘的影响

3.4.3 预烘烤时间对小丘的影响

3.5 本章小结

第四章残余气体及基板载具对小丘的影响

4.1.1 残余气体的来源

4.1.2 残余气体对小丘的影响

4.1.3 降低残余气体的方法

4.2.1 基板载具介绍

4.2.2 基板载具对小丘发生率的影响

4.2.3 基板载具小丘改善方法

4.3.1 溅射设备保养维护流程

4.3.2 设备复机初期小丘异常

4.3.3 设备保养复机初期小丘改善方法

4.4 本章小结

第五章设计及后制程对小丘的影响

5.1 产品设计对小丘的影响

5.1.1 金属线路宽度对小丘的影响

5.1.2 金属膜厚对小丘的影响

5.1.3 玻璃厚度对小丘的影响

5.2.1 CVD 工艺介绍

5.2.2 CVD 温度对纯铝薄膜小丘的影响

5.2.3 CVD 腔体自清洁周期对小丘的影响

5.3.1 光阻涂布制程介绍

5.3.2 绝缘层光阻涂布对小丘的影响

5.4 本章小结

结论

参考文献

攻读硕士学位期间取得的研究成果

致谢

答辩决议书