首页> 中文学位 >掺镁氧化锌纳米晶的结构与光学性质
【6h】

掺镁氧化锌纳米晶的结构与光学性质

代理获取

目录

声明

摘要

第一章 绪论

1.1 纳米材料

1.2 纳米材料特性与制备方法

1.2.1 纳米材料的特性

1.2.2 纳米材料制备方法

1.2.1 ZnO的物理特性与结构特征

1.3.1 ZnO的物理特性

1.3.2 ZnO的结构特征

1.3 ZnO的掺杂研究现状

1.3.1 ZnO的n型掺杂

1.3.2 ZnO的p型掺杂

1.3.3 ZnO的磁性掺杂

1.4 MgO物理性质

1.5 MgxZn1-xO的研究进展

1.6 本论文研究目的及内容

第二章 实验方案的设计以及研究方法

2.1 实验设计思路

2.2 实验原料

2.3 MgxZn1-xO纳米晶的制备

2.4 相关表征方法

2.4.1 XRD物相分析

2.4.2 X射线光电子谱

2.4.3 扫描电子显微镜

2.4.4 X射线散射能谱

2.4.4 拉曼光谱

2.4.5 吸收光谱

2.4.6 光致发光

第三章 MgxZn1-xO纳米晶性质的研究

3.1 MgxZn1-xO纳米晶的XRD分析

3.2 MgxZn1-xO纳米晶的XPS表征

3.3 MgxZn1-xO纳米晶的SEM和EDS分析

3.4 MgxZn1-xO纳米晶的拉曼光谱分析

3.4.1 不同激发波长的ZnO纳米晶的拉曼光谱

3.4.2 MgxZn1-xO纳米晶的非共振拉曼光谱

3.4.3 MgxZn1-xO纳米晶的共振拉曼光谱

3.5 MgxZn1-xO纳米晶紫外吸收光谱

3.6 MgxZn1-xO纳米晶室温光致发光光谱

3.7 MgxZn1-xO纳米晶低温光致发光光谱

第四章 结论

参考文献

致谢

攻读硕士期间所发表的论文

展开▼

摘要

氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ~Ⅳ族直接带隙宽禁带半导体材料,在室温下其带隙宽度为3.37 eV,具有较高的激子束缚能(60 meV),有很好的导热、导电及良好的紫外吸收性能,所以在光电子和微电子等应用领域内具有广阔的发展前景。通过Mg掺杂可以起到连续调制ZnO带隙的作用,从而获得更加广泛的应用。本文以掺镁氧化锌MgxZn1-xO纳米晶为研究对象,采用X-射线衍射(XRD)、紫外-可见吸收光谱(Uv-vis)、拉曼光谱(Raman)、光致发光光谱(PL)、等技术,研究了它们的制备生长、晶体结构以及光谱学特性等问题。主要成果如下:
  1.采用溶胶凝胶法成功制备了掺Mg的MgxZn1-xO(MZO,x=0.00,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10)纳米晶。X衍射分析表明随掺Mg量的逐渐增大,MgxZn1-xO的晶格常数a逐渐增大而c逐渐减小。当Mg含量x达到0.10时,出现了与MgO立方相有关的衍射峰,表明Zn2+被Mg2+取代的最大掺杂量为0.08。
  2.分别用325、488、514.5、532、632.8和785 nm的激光激发了ZnO纳米晶拉曼光谱。发现用632.8 nm激发时,204和332 cm-1峰呈现较强,而用514.5 nm激光激发时,536 cm-1峰呈现较强。这可能是由于632.8 nm和514.5 nm的激光与带间缺陷能级发生共振效应。
  3.随着掺Mg量的逐渐增大,原子振动力常数增大,使得99.5,204,379,410,529和579 cm-1处振动模发生蓝移。当Mg含量x增至0.10时,在277 cm-1处出现了与MgO有关的附加模。
  4.在325 nm波长激发的共振拉曼光谱中,在所有MgxZn1-xO样品中都观察到E1LO及其5级高阶模。随着掺Mg量的逐渐增大,这5阶高阶模发生蓝移,归因于掺Mg导致了电子-声子相互作用中的短程相互作用增强。同时,二级拉曼散射强度与一级拉曼散射强度之比逐渐减小,归因于掺Mg导致了电子-声子相互作用中的长程相互作用减弱。
  5.紫外吸收光谱表明,随掺Mg量的逐渐增大,MgxZn1-xO的带隙逐渐增大。
  6.室温下的光致发光谱(PL)表明,MgxZn1-xO样品的发光峰由两部分构成:一个位于紫外区的紫外发光峰;两个位于可见光区的绿色峰和橙色峰。这两个位于可见光区的发射峰为深能级发射(DLE),与氧缺陷和氧填隙有关。位于紫外区的紫外发光峰为近带边发射(NBE),随着掺Mg量达到x=0.10,紫外发光峰蓝移到3.40 eV。
  7.低温16K时的光致发光谱(PL)表明,随着掺Mg量增加到x=0.08时,自由激子发射蓝移到353 nm(3.52 eV),强度达到最大,同时线宽明显减小,说明掺Mg量为0.08时,紫外发光有最大的发光增益。
  8.在Mg0.02Zn1-0.02样品中,位于363 nm(3.43 eV)和367 nm(3.38 eV)的发光峰分别对应于含Mg区域和不含Mg区域的自由激子复合峰。在140K以上温度时,含Mg区域中的激子迁移到不含Mg区域,使363 nm处的发光峰淬灭,只存在367 nm(3.38 eV)处的峰。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号