BESⅢ上D0(+)→π-(0)μ+νμ和D+s→τ+(ρ+-ν)ντ的研究及轻子普适性检验

目录

声明

摘要

第1章引言

1．1 夸克模型

1．2标准模型

1．3粲介子纯轻和半轻衰变

1．4轻子普适性

1．5论文选题动机

1．6论文结构

第2章北京正负电子对撞机和北京谱仪

2．1 北京正负电子对撞机(BEPCII)

2．2北京谱仪BESIII

2．2．1主漂移室

2．2．2．飞行时间计数器

2．2．4．μ子计数器

2．2．5．超导磁铁

2．2．6．触发系统

2．3 BESIII离线软件系统

2．3．1．模拟

2．3．2． 重建

2．3．3． 刻度和数据库

2．4本章小结

第3章粒子鉴别

3．1 电离能损测量

3．2飞行时间测量

3．3电磁量能器

3．4μ探测器

3．5粒子鉴别方法

第4章半轻衰变D0(+)→π-(0)μ+vμ研究

4．1研究方法

4．2单标记(-D)介子的选择

4．2．1．带电径迹的选择

4．2．4．K0S的重建

4．2．6．单标记事例总数

4．3双标记事例

4．3．1．μ+的选择

4．3．2．M2miss的计算

4．3．3．本底研究

4．3．4．双标记产额

4．3．5．信号效率

4．3．6．数据和蒙特卡罗比较

4．4分支比计算

4．5系统误差

4．5．2μ±寻迹效率

4．5．3．μ+轻子的粒子鉴别效率

4．5．4．π±寻迹效率

4．5．5． π±粒子鉴别效率

4．5．6．π0重建效率

4．5．7．额外光子最大沉积能量

4．5．9．D-μ+反冲质量选择

4．5．12．π0→γγ分支比的系统误差

4．5．13．蒙特卡罗产生子

4．6分支比输入输出检查

4．7轻子普适性检验

4．8本章小结

第5章纯轻衰变D+s→τ+vτ的研究

5．1 选题动机

5．2数据与蒙特卡罗

5．3研究方法

5．4单标记D-s介子挑选

5．4．1．带电粒子选择

5．4．3．K0S的选择

5．4．4．光子的选择

5．4．8．π0，η，K0S，η'，ρ-和ρ0的质量窗口

5．4．9．MBC的约束

5．4．10．单标记产额

5．4．11．单标记效率

5．5 D+s→τ+(ρ+(-v)τ)vτ的选择

5．5．1． 来自于D*s+的γ或者π0的选择

5．5．2．π+和π0的选择

5．5．3．选择条件优化

5．5．4． D+s→τ+(ρ+(-v)τ)vτ的MM2分布

5．6测量结果

5．6．1．双标记效率

5．6．2．分支比

5．6．3． 衰变常数和CKM矩阵元|Vcs|

5．7 系统误差

5．7．1π+寻迹和粒子鉴别

5．7．2．γ／π0系统误差

5．7．3． MM*2和Mπ+π0系统误差

5．7．4． 额外光子沉积能量之和

5．7．5． MM2拟合

5．7．6．蒙特卡罗统计涨落

5．7．8．单标记依赖的偏差

5．8输入输出检查

5．9本章小结

第6章总结和展望

参考文献

附录

致谢

在读期间发表的学术论文与取得的研究成果