标记钨块在托卡马克装置中的刻蚀及氢同位素滞留研究

目录

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摘要

第1章引言

1．1可控核聚变简述

1．2托卡马克装置发展简介

1．3聚变装置中等离子体与壁相互作用问题

1．4第一壁材料的溅射及氢同位素滞留物理机制

1．4．1 溅射刻蚀物理机制

1．4．2氢同位素在第一壁中的渗透与滞留

1．5钨材料中不同来源缺陷对氢同位素滞留影响

1．6本论文研究意义及内容组成

第2章实验平台与实验方法

2．1实验平台

2．1．1 全超导托卡马克实验装置东方超环

2．1．2材料实验平台系统及维护改造

2．1．3韩国超导托卡马克与材料实验平台

2．2实验方法

2．2．1 实验材料

2．2．2粒子束标记技术

2．2．3扫描电子显微镜技术

2．2．4表面电子能谱技术

2．2．5 X射线光电子能谱技术

2．2．6热脱附谱技术

2．2．7弹性反冲探测技术

2．2．8核反应分析技术

2．3本章小结

第3章钨材料在EAST装置上的辐照实验

3．1 EAST辐照实验过程

3．2 EAST辐照实验结果与分析

3．2．1 扫描电镜结果与分析

3．2．2电子能谱结果与分析

3．2．3 X射线光电子能谱结果与分析

3．2．4弹性反冲探测结果与分析

3．2．5热脱附谱结果与分析

3．2．6核反应分析结果与分析

3．3本章小结

第4章钨材料在KSTAR装置上的辐照实验

4．1 KSTAR辐照实验过程

4．2 KSTAR辐照实验结果与分析

4．2．1 扫描电镜和电子能谱结果与分析

4．2．2 热脱附谱和弹性反冲探测结果与分析

4．2．3核反应分析结果与分析

4．3本章小结

第5章总结

5．1全文总结

5．2创新之处与前景展望

参考文献

致谢

在读期间发表的学术论文与取得的其他成果